μレポート[LSI製造]〜MRAMの量産展開に向け 多層膜成膜装置の 採用が本格化
日経マイクロデバイス 第200号 2002.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第200号(2002.2.1) |
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ページ数 | 2ページ (全2287字) |
形式 | PDFファイル形式 (71kb) |
雑誌掲載位置 | 143〜144ページ目 |
不揮発性メモリーMRAM製造装置米国大手LSIメーカーの間で,MRAM(magnetic RAM)の量産に対応した製造装置の選定が始まった。各社がまず選定しようとしているのが,MRAM多層膜の成膜装置である。すでに米Cypress Semiconductor Corp.がアネルバのスパッタの採用を決めた。そのほかの米国大手LSIメーカーも選定が最終段階に入っている模様である。 米国のLSIメーカー…
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