技術レター〜次の１０年のＬＳＩ開発 五つのトランジスタ 技術に注力
日経マイクロデバイス 第200号 2002.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第200号（2002.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全313字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 29ページ目 |
研究・開発ＳＯＩトランジスタ 「次の１０年のＬＳＩ研究・開発は，超薄型ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ），バンド構造を最適化したトランジスタ，縦型トランジスタ，フィンＦＥＴ，ダブル・ゲート・トランジスタの五つのトランジスタ技術に注力する」。こうした考えを，国際半導体技術ロードマップ「Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ…
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