技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜ロジックＬＳＩ製造技術との　互換性を重視する米Ｉｎｔｅｌの　不揮発性メモリー戦略
日経マイクロデバイス　第199号　2002.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第199号（2002.1.1）
ページ数	1ページ　（全603字）
形式	PDFファイル形式　（26kb）
雑誌掲載位置	31ページ目

不揮発性　メモリー戦略製造技術　米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．のＶｉｃｅ　Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ，　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　＆　Ｍｆｇ．　Ｇｒｏｕｐ兼Ｄｉｒｅｃｔｏｒ，　Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　＆　Ｍｆｇ．，　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙであるＳｔｅｆａｎ　Ｋ．　Ｌａｉ氏は不揮発性メモリー技術に対する同社の戦略を明らかにした。フラッシュ・メモリーと相変化型メモリーＯＵＭ…