技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜ボラジン系材料を使い　比誘電率１．９以下の　ｌｏｗ−ｋ膜を合成
日経マイクロデバイス　第197号　2001.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第197号（2001.11.1）
ページ数	1ページ　（全221字）
形式	PDFファイル形式　（26kb）
雑誌掲載位置	39ページ目

ｌｏｗ−ｋ多層配線プロセス　三菱電機は，ボラジン系の高分子材料を使って比誘電率を１．９以下にできる低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜を開発した。シミュレーション技術を駆使して高耐熱特性を持つＢＮ分子を，低誘電特性を持つベンゼンに類似した電子構造に変えることで，低誘電特性と高耐熱特性を両立したという。合成した材料について実測した結果は，比誘電率が１．８７，耐熱温度が４６５℃だった。０．０８μｍ以降の次…