技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜比誘電率が３と低い　エッチング・ストッパを　米Ｄｏｗ　Ｃｈｅｍｉｃａｌが開発
日経マイクロデバイス　第197号　2001.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第197号（2001.11.1）
ページ数	1ページ　（全205字）
形式	PDFファイル形式　（26kb）
雑誌掲載位置	39ページ目

ｌｏｗ−ｋ多層配線プロセス　米Ｔｈｅ　Ｄｏｗ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ．は，比誘電率が約３と小さいエッチング・ストッパ「Ｅｎｓｅｍｂｌｅ　ＥＳ」を開発した。有機Ｓｉ系のポリマー材料を使っており，スピン塗布で形成する。同社の低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜「ＳｉＬＫ」との組み合わせを考慮し，膜特性を最適化している。サンプル出荷は２００１年第４四半期，量産出荷は２００２年第１四半期から開始する予定である…