技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜東工大とＳＴＡＲＣ　Ｌａ２Ｏ３ゲート絶縁膜で　リークを「世界最小」に
日経マイクロデバイス　第197号　2001.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第197号（2001.11.1）
ページ数	1ページ　（全302字）
形式	PDFファイル形式　（26kb）
雑誌掲載位置	39ページ目

ｈｉｇｈ−ｋ研究・開発低消費電力化　東京工業大学総合理工学研究科は，半導体理工学研究センター（ＳＴＡＲＣ）と共同で，「世界最小のリーク電流」（同電子機能システム専攻教授の岩井洋氏）を実現するＬａ２Ｏ３高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜を開発した。成膜条件などを最適化することによって達成した。ＭＯＳキャパシタで電気特性を評価した結果，ＳｉＯ２換算膜厚０．８８ｎｍでゲート・リーク電流は５．５×１０−…