技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜カーボン・ナノチューブの　トランジスタを　米ＩＢＭが試作
日経マイクロデバイス　第192号　2001.6.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第192号（2001.6.1）
ページ数	1ページ　（全224字）
形式	PDFファイル形式　（24kb）
雑誌掲載位置	29ページ目

ナノテクノロジトランジスタ　カーボン・ナノチューブを使ったトランジスタを米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．が試作した。カーボン・ナノチューブは直径が数ｎｍと小さいため，既存のＳｉトランジスタに比べて１／５００に小型化できるとする。従来は，半導体の電気特性を示すカーボン・ナノチューブの抽出に手間がかかることが問題だった。今回，大電流で導電性カーボン・ナノチューブを焼き切り，半導体特性を持つカーボン・ナノチューブだ…