技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜大容量の強誘電体メモリー　東芝と独Ｉｎｆｉｎｅｏｎが　共同開発を開始
日経マイクロデバイス　第188号　2001.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第188号（2001.2.1）
ページ数	1ページ　（全211字）
形式	PDFファイル形式　（23kb）
雑誌掲載位置	29ページ目

不揮発性メモリー共同開発　東芝と独Ｉｎｆｉｎｅｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　ＡＧ．は，強誘電体メモリーを共同開発する。２００１年１月初めから共同開発を始め，まず東芝が２００１年３月にサンプル出荷を予定する８Ｍビット強誘電体メモリーの評価やマーケティングを共同で実施する。次に両社の技術を持ち寄って大容量化を実現し，２００２年末までにＣＯＰ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ　ｏｎ　ｐｌｕｇ）構造の３２Ｍビット品の…