技術レター[LSI製造&LSI設計]〜韓国Samsungが開発した 高速シンクロナスSRAM 東芝が製品化を決定
日経マイクロデバイス 第188号 2001.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第188号(2001.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全252字) |
形式 | PDFファイル形式 (23kb) |
雑誌掲載位置 | 29ページ目 |
SRAM高速化 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が開発した高速シンクロナスSRAM「NtRAM(No Turnaround RAM)」を東芝が製品化する。NtRAMは,読み出しから書き込みの切り替え時に発生するクロックの無駄を省き,従来の同一周波数のパイプライン・バーストSRAMに比べて最大で2倍のデータ転送速度を実現できる。高速データ転送が必要なスイッチやルーターな…
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