μレポート［ＬＳＩ製造］〜露光を使わず１０ｎｍ級の 微細加工を東芝が実現 高分子技術を応用
日経マイクロデバイス 第184号 2000.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第184号（2000.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1886字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （428kb） |
| 雑誌掲載位置 | 75〜76ページ目 |
微細加工ＬＳＩ製造ＨＤＤ露光技術を使わずに１０ｎｍ級の微細加工を実現する技術が現実のモノとなる。高分子材料を利用して，Ｓｉ基板上に直径１５ｎｍのドットを形成する技術を東芝が開発した。この技術をＬＳＩ製造に応用すると，現状の露光技術では加工できない微細なコンタクト・ホールを形成できるようになる。ハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ）の製造へ利用した場合，テラビットへの大容量化が見えてくる。レジスト技術…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全1886字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
μレポート［ＬＳＩ製造］〜低誘電率化トレンドを 一気に５年前倒しする 多孔質ｌｏｗ−ｋ膜が登場
μレポート［ＬＳＩ製造］〜ＬＳＩ製造技術の変革 「スキャン塗布」が 成膜の主流に急浮上
μレポート［ＬＳＩ製造］〜微細化と薄膜化に依存せず ＭＯＳの性能を向上する Ｓｉ技術の開発が本格始動
解説［ＬＣＤ（ディスプレイ）］〜カラー液晶の高速化が急進展 携帯電話，テレビの進化を担う
論文［ＬＳＩ設計］ 寄稿〜初めてアナログ合成を自動化 ＬＳＩ設計の常識を覆す
