μレポート［ＬＳＩ製造］〜微細化と薄膜化に依存せず ＭＯＳの性能を向上する Ｓｉ技術の開発が本格始動
日経マイクロデバイス 第184号 2000.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第184号（2000.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2066字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （51kb） |
| 雑誌掲載位置 | 77〜78ページ目 |
トランジスタ微細化ＳＯＩゲート電極の微細化とゲート絶縁膜の薄膜化に依存せずに電流駆動能力を向上する。このような技術開発が本格的に始まった。Ｓｉにひずみを加えてキャリヤの移動度を高める技術である。８月末の「２０００ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ＳＳＤＭ２０００）」で東芝が０．０７μｍ以降の実用化を目指し，…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2066字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
μレポート［ＬＳＩ製造］〜ＬＳＩ製造技術の変革 「スキャン塗布」が 成膜の主流に急浮上
μレポート［ＬＳＩ製造］〜露光を使わず１０ｎｍ級の 微細加工を東芝が実現 高分子技術を応用
解説［ＬＣＤ（ディスプレイ）］〜カラー液晶の高速化が急進展 携帯電話，テレビの進化を担う
論文［ＬＳＩ設計］ 寄稿〜初めてアナログ合成を自動化 ＬＳＩ設計の常識を覆す
論文［パッケージ］ 寄稿〜日本の半導体復権を賭け 異分野の技術を融合
