μレポート［ＬＳＩ製造］〜低誘電率化トレンドを 一気に５年前倒しする 多孔質ｌｏｗ−ｋ膜が登場
日経マイクロデバイス 第184号 2000.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第184号（2000.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1743字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （55kb） |
| 雑誌掲載位置 | 71〜72ページ目 |
低誘電率膜多層配線学会低誘電率の層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）のトレンドを一気に５年前倒しする技術が登場した。日本真空技術が開発した比誘電率２〜１．５の多孔質ＳｉＯ２膜である。空孔の形状をナノオーダーで制御することによって最大の課題だった機械的強度を「圧倒的な高さ」（国内大手ＬＳＩメーカー）に改善している。日本真空は２００１年１月からこの材料と製造装置の販売を開始する。 今回の技術は層間絶縁膜の低誘電…
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