特集 Ｐａｒｔ３（寄稿）〜原子レベルの成膜で 膜厚・材料設計を精密化
日経マイクロデバイス 第184号 2000.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第184号（2000.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全5525字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （95kb） |
| 雑誌掲載位置 | 102〜105ページ目 |
製造装置 ゲート絶縁膜 トランジスタ今後の製造装置は，プロセスの精密制御に向けて進化する。例えば，０．１μｍ以降は高誘電率ゲート絶縁膜や極薄膜が必要になる。これらの実現には，膜厚や加工寸法の精密制御と材料の設計が原子層レベルで必須になる。究極の姿が原子・分子レベルの成膜や加工である。この方向を目指した技術は研究レベルでは複数あったが，今回，「ＡＬＣＶＤ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ＣＶＤ）」を使った…
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