ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜厚さ０．３ｎｍのＳｉＯ２ 単原子層を２６０℃の 低温で形成できる技術
日経マイクロデバイス 第180号 2000.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第180号（2000.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全467字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （41kb） |
| 雑誌掲載位置 | 167ページ目 |
ゲート絶縁膜低温プロセス微細化 厚さ０．３ｎｍのＳｉＯ２単原子層を２６０℃の低温で形成できる技術を，東芝と日立製作所などの共同研究グループが開発した。Ｓｉ表面で原子単位の酸化を連鎖的に起こすドミノ反応と呼ぶ現象を使って実現した。まず，Ｈ原子で終端したＳｉ表面の一部に電子ビームを当て，孤立した原子結合子（ダングリング・ボンド）を形成する。次にＯ２雰囲気中で２６０℃に加熱すると，ダングリング・ボンド周…
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