特集　Ｐａｒｔ２〜回路パターンごとにプロセス変更　露光コストを１２〜４３％低減
日経マイクロデバイス　第178号　2000.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第178号（2000.4.1）
ページ数	6ページ　（全6532字）
形式	PDFファイル形式　（191kb）
雑誌掲載位置	56〜61ページ目

ケーススタディ（１）露光ＬＳＩプロセス露光技術微細化ＫｒＦ今後の露光技術は，テクノロジＣＡＤ（ＴＣＡＤ）の果たす役割がますます重要になっていく。この先駆けとして，ＴＣＡＤを駆使したＫｒＦエキシマ・レーザー露光技術を東芝と富士通が共同で開発した。回路パターンごとに露光条件を変更し，その上で光近接効果補正（ＯＰＣ）を実施する。この結果，弱い超解像技術と組み合わせたＫｒＦ露光で，０．１３μｍのＤＲＡＭパ…