ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜米Ｈａｌｏ，高速・低電圧の フラッシュ・セル技術を 多値へ展開
日経マイクロデバイス 第175号 2000.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第175号（2000.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全279字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 157ページ目 |
ＬＳＩビジネスフラッシュ・ メモリー 高速・低電圧書き換えが可能なフラッシュ・メモリー・セル技術を持つ米Ｈａｌｏ ＬＳＩ Ｄｅｓｉｇｎ ＆ Ｄｅｖｉｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．が，かねてから取り組んでいた低コスト化技術を明らかにした。単一のメモリー・セルに複数ビットを記憶させる多値技術を使う。具体的にはこれまでドレイン側だけに存在していたスプリット・ゲートの構造をソース側とドレイン側の両…
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