ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜トランジスタは新材料 配線は日本勢が目立った 「ＩＥＤＭ」のロジック関連
日経マイクロデバイス 第175号 2000.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第175号（2000.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全997字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （43kb） |
| 雑誌掲載位置 | 158ページ目 |
トランジスタＣｕ配線学会 トランジスタの高誘電率ゲート絶縁膜やメタル・ゲート電極の導入に関する発表が約２０件と多数集まったことと，配線技術で日本勢が巻き返しを図る姿がハッキリと表れたこと。この二つが１９９９年１２月５日〜８日に米国ワシントンＤ．Ｃ．で開かれた「１９９９ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（１９９９ ＩＥＤＭ）」のロジックＬＳＩ関連で目立った…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全997字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜Ｓｅｌｅｔｅが ２０００年度以降の 活動計画を明らかに
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜６４Ｍ ＤＲＡＭの 大口向け価格 小幅の上昇続ける
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜「セミコン・ジャパン ９９」 ０．１３μｍ以降に対応した 装置や新技術が相次ぐ
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜１９９９年版の半導体 技術ロードマップを ＩＴＲＳが発表
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＣＤ〜「ＩＤＷ ’９９」に見るＴＦＴ液晶 アモーファスはテレビへ 低温多結晶はＬＳＩ技術を導入
