Ｄｅｔａｉｌｓ ＬＳＩ（メモリー）〜既存技術の置き換え狙う フラッシュ・セルが登場 低コストと高性能を両立
日経マイクロデバイス 第173号 1999.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第173号（1999.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1120字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （54kb） |
| 雑誌掲載位置 | 147ページ目 |
フラッシュ・メモリーメモリー・ セル学会大幅な低コスト化と高性能化を両立できるフラッシュ・メモリーのセル技術が登場した。イスラエルのサイファン・セミコンダクター社（Ｓａｉｆｕｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ Ｌｔｄ．）が開発した「ＮＲＯＭ」である。９月２１日〜２４日に開催された「１９９９ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔ…
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