Ｄｅｔａｉｌｓ ＬＳＩ（ロジック）〜試作の繰り返しを 削減できるＣｕ配線向け シミュレーション技術
日経マイクロデバイス 第172号 1999.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第172号（1999.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1316字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 175ページ目 |
シミュ レーションＣｕ配線電解メッキＣｕ配線向け電解メッキ処理で問題になっている試作の繰り返しを削減できるシミュレーション技術を日立製作所日立研究所と同デバイス開発センタが共同で開発した。この９月に開かれた「１９９９年秋季第６０回応用物理学会学術講演会」で示した。シミュレーション技術を駆使して薬液の物性値からＣｕ配線の埋め込み形状を予測し，薬液条件を短期間で最適化する。 今回開発したシミュレーショ…
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