ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック） ＬＳＩ（ロジック）〜０．１μｍ未満を目指し ゲート技術関連の発表が 活発な「１９９９ ＩＥＤＭ」
日経マイクロデバイス 第172号 1999.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第172号（1999.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全812字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （40kb） |
| 雑誌掲載位置 | 170ページ目 |
トランジスタ学会ＤＲＡＭ ゲート長０．１μｍ未満の研究開発成果が１９９９年１２月５日〜８日に米国ワシントＤ．Ｃ．で開かれる「１９９９ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（１９９９９ ＩＥＤＭ）」に相次ぐ。ゲート長が０．０７〜０．０５μｍになるとトランジスタ性能を高めるためには，ゲート絶縁膜のＳｉＯ２換算膜厚を１．５〜１ｎｍへ薄膜化することとゲート…
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