ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック） ＬＳＩ（ロジック）〜０．１μｍに向けた トランジスタ技術と 配線技術，課題が明確に
日経マイクロデバイス 第172号 1999.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第172号（1999.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全552字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （40kb） |
| 雑誌掲載位置 | 170ページ目 |
トランジスタ配線学会 ０．１μｍルールのトランジスタ技術や配線技術の最新動向が９月１日〜４日に開かれた「１９９９年秋季第６０回応用物理学会学術講演会」に相次いだ。トランジスタ技術では０．２５〜０．１３μｍルールの最大の課題が短チャネル効果の抑制だったのに対し，０．１μｍ以降はゲート・リーク電流の抑制になるとの見方をＮＥＣが示した。厚さ１．５ｎｍのＳｉＯ２ゲート絶縁膜ではＣＭＯＳ動作時の電流よりも待…
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