ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー） ＬＳＩ（メモリー）〜パワー半導体分野で 日立製作所と 富士電機が提携
日経マイクロデバイス 第172号 1999.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第172号（1999.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全207字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （36kb） |
| 雑誌掲載位置 | 169ページ目 |
戦略事業提携 日立製作所と富士電機は，パワー半導体分野で提携することに合意した。整流ダイオードやスイッチ用途を中心としたパワー半導体の開発・設計などを行う合弁会社「富士・日立パワー半導体テクノ開発（仮称）」を１９９９年１１月をメドに設立する。開発スピードの短縮や開発コストの削減を主な目的にした提携という点では，「メモリー分野におけるＮＥＣとの提携と狙いはほぼ同じ」（日立製作所 社長の庄山悦彦氏）と…
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