専門特集 後半〜「Ｃｕ＋低誘電率膜」への
日経マイクロデバイス 第171号 1999.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第171号（1999.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全8204字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （113kb） |
| 雑誌掲載位置 | 116〜125ページ目 |
製造装置メーカー●「Ｃｕ＋低誘電率膜」への対応を急速に進める Ｃｕ配線と低誘電率層間絶縁膜の組み合わせに対応した製造装置を製品化する動きが，ＬＳＩ製造装置大手における全体の潮流になり始めた（図９，表３，表４）。先行メーカーはすでにこの組み合わせに対応した製造装置を発売した。Ｃｕ配線や低誘電率層間絶縁膜の一方に対応していたメーカーはこれを追っている。個々の技術への対応では不十分 Ｃｕ配線と低誘電率層…
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