専門特集 前半〜Ｃｕと低誘電率膜の時代は 設計・製造の両面で最速化
日経マイクロデバイス 第171号 1999.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第171号（1999.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全7860字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （64kb） |
| 雑誌掲載位置 | 106〜111ページ目 |
多層配線ＬＳＩ設計ＬＳＩプロセスＣｕ配線Ｃｕと低誘電率膜を使う多層配線の時代は，設計と製造の両面から高速化を追求する。これまでの高速化は，配線抵抗や配線容量の低減という製造面からの追求だった。今後は，設計面からの高速化も併せて追求し，配線に対するムダな設計見込み値を減らす。配線が本来持つ性能を最大限に引き出し最速化を実現する。こうした方向に沿い，インフラストラクチャ側が動き始めた。設計面では，配線…
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