ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜米Ｉｎｔｅｌ，０．２５μｍ以降 フラッシュ・メモリーの 量産に「Ｆａｂ１１」を使用
日経マイクロデバイス 第166号 1999.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第166号（1999.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全952字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （39kb） |
| 雑誌掲載位置 | 144ページ目 |
フラッシュ・メモリー最大手の米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は，今後の技術開発と量産工場展開の計画を明らかにした。技術開発に関しては，微細化と多値化を推進する。微細化は，１９９８年９月から０．２５μｍルール品の生産を米国カリフォルニア州にある開発・少量量産拠点「Ｄ２」で始めていたが，本格量産を１９９９年４月から始める。「競合他社より１年は早い」（同社）とする。その２年後には０．１８μｍルールを使った量産…
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