ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜「ＩＳＳＣＣ ’９９」の 強誘電体メモリー関連 １Ｔ１Ｃの１Ｍビット品が登場
日経マイクロデバイス 第165号 1999.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第165号（1999.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全639字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 142ページ目 |
材料と成膜の技術が確立した強誘電体メモリーは，微細化を前倒しして１９９９年内にメガ・ビット級への大容量化を進めるという方向が「１９９９ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ ’９９）」に鮮明に現れた（本号，ｐｐ．５２−９８に関連記事）。象徴的な例が，東芝が発表した「１トランジスタ＋１キャパシタ（１Ｔ１Ｃ）」セルを使った１…
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