ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜「ＩＳＳＣＣ ’９９」のフラッシュ 関連，微細化と多値化を 積極的に推進
日経マイクロデバイス 第165号 1999.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第165号（1999.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全486字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 142ページ目 |
微細化前倒しと多値技術の導入によりフラッシュ・メモリーの大容量化と低コスト化を両立させる方向が「１９９９ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ ’９９）」にハッキリ見えた（本号，ｐｐ．５２−９８に関連記事）。東芝がＮＡＮＤ型，日立製作所と三菱電機のグループがＡＮＤ型の２５６Ｍビット・フラッシュ・メモリーを発表した。東芝は…
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