特集 Ｐａｒｔ３ａ〜０．１８μｍから露光技術の 開発方法がガラリと変わる
日経マイクロデバイス 第165号 1999.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第165号（1999.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全6689字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （774kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86〜93ページ目 |
インフラストラクチャ製造技術露光技術ＣＡＤ設計ルール０．１８μｍを境に，露光技術の開発方法が実験主体からシミュレーション主体へ変わる。半導体メモリーの容量，コスト，性能の面でトレンドが塗り替わろうとしており，それを支えるのが微細化の前倒しの徹底である。これに伴って位相シフト・マスクや光近接効果補正など露光の要素技術の採用が急増し，開発期間が減少する。実験を繰り返して得たデータを基に開発を進めてきた…
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特集 Ｐａｒｔ２ａ〜容量・コスト・性能に変曲点 市場多様化でチップ構成が変化
特集 Ｐａｒｔ２ｂ〜強誘電体メモリー● セルとキャパシタの構造を変え大容量化
特集 Ｐａｒｔ３ｂ〜特集Ｐａｒｔ３ インタビュー
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