特集　Ｐａｒｔ２ｂ〜強誘電体メモリー●　セルとキャパシタの構造を変え大容量化
日経マイクロデバイス　第165号　1999.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第165号（1999.3.1）
ページ数	8ページ　（全9539字）
形式	PDFファイル形式　（107kb）
雑誌掲載位置	74〜81ページ目

　強誘電体メモリーは，新たな段階へ移行する。携帯機器向けの汎用メモリー用途を狙い，大容量化が一気に進む方向が見えてきた（図８）。セルに「１Ｔ１Ｃ（１トランジスタ＋１キャパシタ）」型，キャパシタ構造に下側からコンタクトを取るスタック型キャパシタを採用して実現していく方向である。　１Ｔ１Ｃ型とスタック型は量産への移行が難しく，実現は２００１年以降になるというのが大方の見方だった。このため，大容量化のペ…