特集1 先端半導体をつくる〜エッチング装置
日経ものづくり 第835号 2024.4.1
掲載誌 | 日経ものづくり 第835号(2024.4.1) |
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ページ数 | 4ページ (全4864字) |
形式 | PDFファイル形式 (1926kb) |
雑誌掲載位置 | 46〜49ページ目 |
Part2 もっと深く、速く、直線的に─。先端半導体の構造変化が、ウエハー上の薄膜を削るエッチング装置に新たな課題を突きつけている。ロジック半導体やDRAM、NANDフラッシュメモリー(以下、「NAND」)の先端品に共通するのは、垂直方向の面積を素子形成に活用する技術トレンドだ(表)。「Selective Etching(高選択エッチング)」と呼ばれる新技術も生まれ、エッチング装置に“地殻変動”が…
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