Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ　強いＳｉに勝てるか〜テスラ新ＥＶにＳｉＣと新制御　ＧａＮは電動航空機を狙え
日経エレクトロニクス　第1208号　2019.10.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1208号（2019.10.1）
ページ数	11ページ　（全11631字）
形式	PDFファイル形式　（4671kb）
雑誌掲載位置	43〜53ページ目

第３部：「Ｍｏｄｅｌ　３」を分解・解析ＧａＮ／ＳｉＣパワー半導体を応用したインバーターなどの研究を進めている名古屋大学　教授の山本真義氏（未来材料・システム研究所）が、米Ｔｅｓｌａの新型ＥＶ「Ｍｏｄｅｌ　３」など市販車に搭載のパワーエレクトロニクスモジュールを分解した。同社の設計思想を解読すべく、挑戦的な回路技術を詳説する。ＧａＮパワー半導体で期待される応用にも触れる。（日経エレクトロニクス）　２…