Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 強いＳｉに勝てるか〜Ｓｉは高温対応と３００ｍｍ化 新型はコスト削減が急務に
日経エレクトロニクス 第1208号 2019.10.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1208号（2019.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全10671字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2390kb） |
| 雑誌掲載位置 | 33〜42ページ目 |
第２部：技術・事業の最前線ＥＶ（電気自動車）をはじめとする電動化によって急拡大が見込まれるパワー半導体市場。メーカー各社は、増産投資に踏み切るとともに、新技術の開発を加速している。既存のＳｉではＳｉＣやＧａＮに対抗できる技術やさらなる低コスト化のために大口径化を急ぐ。新型では、信頼性を確立するとともに、コスト競争力を高める技術の投入が始まった。 パワー半導体メーカー各社は、Ｓｉ（シリコン）と新型の…
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