Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 強いＳｉに勝てるか〜安さと総合力のＳｉに長期戦で挑む新型
日経エレクトロニクス 第1208号 2019.10.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1208号（2019.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 5ページ （全6095字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1486kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28〜32ページ目 |
第１部：Ｓｉ ｖｓ 新型パワー素子低損失で高耐圧、冷却装置や受動部品を小型・安価にする─。ＳｉＣやＧａＮといった新型パワー半導体が、その特徴を強みにＥＶ（電気自動車）や電車、産業機器、家電などの市場に入り始めた。しかし既存のＳｉパワー半導体の競争力は依然として高く、新型への世代交代が一気に進む気配はない。新型はＳｉとの長期戦に臨みつつ、特徴を生かせる応用開拓に挑む。 米Ｔｅｓｌａ（テスラ）が販売中…
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