ＮＥレポート〜ＧａＮのフリップチップ実装で スイッチングを１．７倍高速に
日経エレクトロニクス 第1135号 2014.5.26
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1135号（2014.5.26） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1173字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （281kb） |
| 雑誌掲載位置 | 16ページ目 |
パナソニックは、２０１４年５月にドイツで開催されたパワーエレクトロニクス分野の世界最大級の展示会「ＰＣＩＭ Ｅｕｒｏｐｅ」に初めて出展した。その目玉が、ＧａＮやＳｉＣといった次世代パワー半導体を利用した素子で構成した電源回路やモジュール品である。 中でも積極的にアピールしたのが、耐圧６００Ｖ級のＧａＮパワートランジスタを適用したＰＦＣ（ｐｏｗｅｒ ｆａｃｔｏｒ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）回路だ。従来…
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