特集 すべての機器にＴＳＶ〜第２部＜実現技術＞ コスト、放熱、テスト
日経エレクトロニクス 第1080号 2012.4.16
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1080号（2012.4.16） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全8780字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （3013kb） |
| 雑誌掲載位置 | 42〜49ページ目 |
ＴＳＶ技術の普及に向けた課題は、「コスト、放熱、テスト」との指摘が多い。最大の課題であるコストに関しては、ＴＳＶ加工とチップ接続の両面から低減する必要がある。こうした課題に対し、解決の可能性を秘めた新技術が続々と登場してきた。 「とにかくコスト。それから放熱とテストだ」─。ＴＳＶ（ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）を用いた３次元／２．５次元ＬＳＩの開発に携わる技術者の多くは、ＴＳＶ技術の普及…
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