論文〜酸化ガリウムをパワー素子に　ＳｉＣよりも安く、高性能に
日経エレクトロニクス　第1079号　2012.4.2

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1079号（2012.4.2）
ページ数	9ページ　（全9816字）
形式	PDFファイル形式　（1525kb）
雑誌掲載位置	81〜89ページ目

東脇　正高情報通信研究機構　未来ＩＣＴ研究所　主任研究員倉又　朗人タムラ製作所コアテクノロジー本部ＬＥＤ開発室　室長佐々木　公平同部ＬＥＤ開発室山腰　茂伸同部　本部長　兼　理事増井　建和光波　開発本部光材料開発部　部長ＳｉＣとＧａＮよりも、高耐圧で低損失なパワー半導体素子を安価に作製できる可能性があるとして、β型Ｇａ２Ｏ３に注目が集まっている。きっかけとなったのが、情報通信研究機構などの研究グルー…