特集 東芝の勝算〜０９年に半分は３ビット／セル１０％を４ビット／セルに
日経エレクトロニクス 第976号 2008.4.21
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第976号（2008.4.21） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2494字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （827kb） |
| 雑誌掲載位置 | 56〜57ページ目 |
米ＳａｎＤｉｓｋ Ｃｏｒｐ． Ｅｌｉ Ｈａｒａｒｉ氏 Ｃｈａｉｒｍａｎ ＆ ＣＥＯ─２００８年３月に，世界に先駆けて３ビット／セルの多値技術を採用したＮＡＮＤフラッシュ・メモリの量産を始めました。東芝と共同開発した５６ｎｍ世代の１６Ｇビット品ですね。 ３ビット／セル技術を適用することで，２ビット／セル品に比べてチップ面積を２０％以上縮小できます。加えて，３ビット／セルのＮＡＮＤフラッシュ・メモリの…
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