解説〜プロジェクターや自動車まで 視野に入ったGaNデバイス
日経エレクトロニクス 第963号 2007.10.22
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第963号(2007.10.22) |
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ページ数 | 10ページ (全12046字) |
形式 | PDFファイル形式 (2831kb) |
雑誌掲載位置 | 121〜130ページ目 |
窒化物半導体に関する世界最大級の国際学会「7th International Conference of Nitride Semiconductors(ICNS−7)」が,2007年9月16〜21日に米国で開催された。GaN系半導体を使う次世代のLEDや半導体レーザ,無線基地局向けパワー・アンプ回路で用いる高周波素子,将来の白物家電や自動車などの電源回路に向けたスイッチング素子に関する発表が一堂に…
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