Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜セイコーエプソンがフレキ基板上に有機ＦｅＲＡＭを作製，±１５Ｖで動作を確認
日経エレクトロニクス 第923号 2006.4.10
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第923号（2006.4.10） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全401字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （331kb） |
| 雑誌掲載位置 | 46ページ目 |
セイコーエプソンは，トランジスタ型有機ＦｅＲＡＭ素子をフレキシブル基板上に作製し，不揮発性メモリとしての動作を確認したと発表した。（１）ポリカーボネート・フィルム上にＡｕ／Ｃｒのソース／ドレイン電極を真空蒸着で形成，（２）有機半導体の「Ｆ８Ｔ２」をスピンコート法で成膜，（３）有機強誘電体の「Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）」をスピンコート法で塗布，（４）最後にＡｇインクを用いてインクジェット法でゲート電極…
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