Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜日立と旭化成，塗布法で作製した有機ＴＦＴで高移動度を実現
日経エレクトロニクス 第923号 2006.4.10
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第923号（2006.4.10） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全440字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （331kb） |
| 雑誌掲載位置 | 46ページ目 |
日立製作所 基礎研究所と旭化成，光産業技術振興協会は，有機半導体層，ゲート絶縁層，ソース／ドレイン電極をそれぞれ塗布プロセスで作製した有機ＴＦＴ素子において，キャリヤ移動度０．１ｃｍ２／Ｖｓを確認した。これまで日立製作所や旭化成は，それぞれ別のアプローチで有機ＴＦＴ素子の印刷による作製技術を開発していた。日立製作所は，有機ＴＦＴ素子のソース／ドレイン電極を塗布法で形成する方法を開発。一方，旭化成…
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