Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ＭＯＳＦＥＴ〜内部抵抗を低減し，放熱性を高める
日経エレクトロニクス 第922号 2006.3.27
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第922号（2006.3.27） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全369字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （238kb） |
| 雑誌掲載位置 | 51ページ目 |
ＮＥＣエレクトロニクスは，同社従来品よりも内部抵抗を低減させ，かつ放熱性を高めたＭＯＳＦＥＴを開発した。主にパソコン用Ｌｉイオン２次電池のモジュールの保護に利用する。例えば長時間の充放電，短絡などの異常が生じた場合，電流を遮断する用途に向ける。内部抵抗は２．６ｍΩと３．１ｍΩの２品種があり，型番はそれぞれ「μＰＡ２７３１ＵＴ１Ａ」と「μＰＡ２７３２ＵＴ１Ａ」。２．６ｍΩという値は同社従来品に比べ…
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