Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ＵＶアニール装置 もろいｌｏｗ−ｋ膜の強度が高まる 空孔を拡大して比誘電率も低減
日経エレクトロニクス 第891号 2005.1.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第891号（2005.1.17） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全694字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （321kb） |
| 雑誌掲載位置 | 45ページ目 |
半導体プロセス研究所は，ｌｏｗ−ｋ材料を用いた層間絶縁膜の機械的強度を高められるＵＶアニール装置を開発した。ＣＶＤ法で形成した比誘電率が２．８，強度（ヤング率）が１３ＧＰａの絶縁膜に対して，この装置で紫外光照射を行ったところ，強度が２４ＧＰａに高まるほか，比誘電率が２．６に低減したという。同じく比誘電率が２．４の絶縁膜では，強度が３ＧＰａから６ＧＰａに高まったという。比誘電率は変化しなかった。「…
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