特集 リーク電流と闘う〜＜第２の危機＞ 絶縁膜の薄膜化が限界 ｈｉｇｈ−ｋ材料に託す
日経エレクトロニクス 第872号 2004.4.26
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第872号（2004.4.26） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全12014字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （265kb） |
| 雑誌掲載位置 | 120〜127ページ目 |
携帯電話機や携帯機器向けＬＳＩの，待機時における消費電力が爆発する−−。ＬＳＩの設計ルールが６５ｎｍ世代へ移行するのを見据え，こんな懸念がささやかれている。９０ｎｍ世代まで無視できたゲート・リーク電流が，一気に顕在化し始めるからだ。機器設計者やＬＳＩ設計者は，直近のサブスレッショルド・リーク電流だけでなくゲート・リーク電流を見据えた準備が必要になってくる。具体的には電源電圧を遮断したり降下したりす…
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