技術速報〜東芝，ひずみＳｉとＳＯＩを組み合わせるプロセス技術を改良 ＳｉＧｅ下地膜のＧｅ濃度を５７％に高め，キャリアの移動度を上げる
日経エレクトロニクス 第799号 2001.7.2
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第799号（2001.7.2） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全579字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （42kb） |
| 雑誌掲載位置 | 27ページ目 |
東芝は，Ｓｉ膜の結晶格子にひずみを加えることでキャリアの移動度を高める「ひずみＳｉ」技術について，ひずみＳｉ膜の下地となるＳｉＧｅ膜を成膜するプロセス技術を開発した。ひずみＳｉが実用化される世代にはＳＯＩ基板が主流になるとみて，ＳＯＩ基板上にＳｉＧｅ膜を作る場合を想定している。ひずみＳｉは，米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．が２００３年の実用化を表明したことをキッカケに注目を集めている。 東芝が開発した「酸化…
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