技術速報〜米ＩＢＭ社，遮断周波数が２１０ＧＨｚのＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタを開発　ベース領域の厚さを３０ｎｍ〜４０ｎｍに薄くして高速化，２００３年から量産
日経エレクトロニクス　第799号　2001.7.2

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第799号（2001.7.2）
ページ数	1ページ　（全516字）
形式	PDFファイル形式　（42kb）
雑誌掲載位置	25ページ目

　米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．は，遮断周波数ｆＴが２１０ＧＨｚと高速なＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタ技術を開発した。このトランジスタを適用した，クロック周波数が１００ＧＨｚの通信用ＬＳＩを量産できる体制を２００３年末までに整えるという。設計ルールは０．１３ｎｍもしくは０．１ｎｍになる。競合他社の技術者は，「ｆＴが２１０ＧＨｚという値はＧａＡｓやＩｎＰといった化合物半導体でも実現できるかどうか議論が分かれ…