特集 そして、すべてのメモリは不揮発になる。〜セル面積の縮小が急務 まずはＤＲＡＭの２〜３倍へ
日経エレクトロニクス 第789号 2001.2.12
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第789号（2001.2.12） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6304字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （132kb） |
| 雑誌掲載位置 | 172〜177ページ目 |
「強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）でＤＲＡＭを置き換えるのは至難の技」。多くのメモリ・メーカがそう指摘する一方で，「いや，決して不可能ではない」と主張するメーカがある。ＤＲＡＭで確立したメモリ・セルの縮小技術をそのまま転用できれば，ＤＲＡＭに匹敵する容量，コストのＦｅＲＡＭが実現可能というわけだ。そのカギを握るのが強誘電体キャパシタの小型化，そして３次元化。これを実現できれば，ＦｅＲＡＭはポストＤＲＡ…
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