技術速報〜Ｌｕｃｅｎｔ社，Ｑ値が１５と高いインダクタを集積するＳｉＧｅバイポーラ技術を発表 ４０Ｇビット／秒の光通信システムで動作を検証
日経エレクトロニクス 第780号 2000.10.9
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第780号（2000.10.9） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全613字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （44kb） |
| 雑誌掲載位置 | 26ページ目 |
米Ｌｕｃｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｉｎｃ．は，抵抗，コンデンサのほかに，Ｑ値が１５と高いインダクタ（２ＧＨｚで１ｎＨ）をＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタに集積した素子を開発した（Ｔａｎｇ，Ｒ．ほか，Ｂｉｐｏｌａｒ／ＢｉＣＭＯＳ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍｅｅｔｉｎｇ ２０００，講演番号６．２，Ｓｅｐ．２０００）。４０Ｇビット／秒の光通信システム（帯域制限アンプ）で…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全613字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
技術速報〜東レ，感光性ペースト使うＰＤＰ作製技術を松下に供与 １９２０×１０８０画素相当のピッチで隔壁形成が可能に
技術速報〜ボード上の複数メーカのＰＬＤを同時にプログラム するための規格がＩＥＥＥ Ｓｔｄ１５３２として標準化
技術速報〜Ｈｅｌｓｉｎｋｉ工科大，＋１Ｖ動作の９ビットＡ−Ｄ変換器をＣＭＯＳ技術で試作 スイッチ型オペアンプを用いて低電圧動作を実現
技術速報〜ＮＥＣと日立製作所，得意技術を持ち寄り０．１３ｎｍの ２５６ＭビットＤＲＡＭを開発，チップ面積は６０ｍｍ２弱
読者の声〜読者の声 Ｌｅｔｔｅｒｓ
