特集　プロセスの復権〜まずは有機で３．０を達成　究極解は気体絶縁層
日経エレクトロニクス　第763号　2000.2.14

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第763号（2000.2.14）
ページ数	6ページ　（全7933字）
形式	PDFファイル形式　（217kb）
雑誌掲載位置	166〜171ページ目

ｌｏｗ−ｋ材料の開発競争に拍車がかかってきた。Ｃｕ配線は，ｌｏｗ−ｋ材料と組み合わせることで一層威力を発揮する。この実現をもくろみ，先行メーカは比誘電率３．０以下の材料を，２０００年末にも０．１３ｎｍルールのＣｕ配線ＬＳＩに導入する。ただ，どのような材料を使うかは，メーカ間で意見が分かれる。現在ある材料は，どれも一長一短。使いこなすのが難しい。それを克服しようとするとき，メーカの技術力が厳しく問わ…