技術速報〜超電導工学研究所など，超電導材料を使うＩＣの集積度を高める技術を 共同開発，イオン照射を使ってジョセフソン接合の特性バラつきを抑える
日経エレクトロニクス 第758号 1999.11.29
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第758号（1999.11.29） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全554字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （54kb） |
| 雑誌掲載位置 | 22ページ目 |
超電導工学研究所，ＮＥＣ，東芝，日立製作所の研究グループは共同で，高温超電導材料を使うＬＳＩの集積度を高める技術を開発した。試作したＩＣは，二つのジョセフソン接合で構成された単一磁束量子素子で回路を構成している。ジョセフソン接合は薄い絶縁層を超電導膜（Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ）で挟んだもの。絶縁層をトンネルする電流量が臨界値を超えると，絶縁層に抵抗が発生するが，この値以下では抵抗値がゼロになる現…
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