Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 特集２とびら〜ＢＳＩ型ＣＭＯＳセンサーに参入メーカー続々
日経マイクロデバイス 第291号 2009.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第291号（2009.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全312字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （337kb） |
| 雑誌掲載位置 | 37ページ目 |
ＣＭＯＳセンサーの高感度化技術ＢＳＩ（裏面照射）をイメージ・センサー各社が相次いで採用している。ＢＳＩ技術の導入によって，ＣＭＯＳセンサーのＣＣＤセンサーに対する唯一の欠点ともいえた感度の低さが解消する。ＣＣＤセンサーの最後の砦といえた１０００万画素以上のデジタル・カメラや５００万画素以上のカメラ付き携帯電話機を，ＢＳＩの量産化でＣＭＯＳセンサーが対象にできるようになる。ただしＢＳＩ型には製造コス…
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